ISC0703NLSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC0703NLSATMA1 بواسطة Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC0703NLSATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
عدد الأطراف — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر