ISC0703NLSATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC0703NLSATMA1 توسط Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC0703NLSATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 120 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 57 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 44 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS family) —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 (5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
Standard Package Quantity 5,000 (reel) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
تعداد پایه — 8
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت