ISC088N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC088N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC088N08NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C | 12.1 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 8.8 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | 71 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8 FL |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| عدد الدبابيس | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C |