ISC088N08NM6ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC088N08NM6ATMA1 توسط Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC088N08NM6ATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 C | 12.1 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | 59 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | 8.8 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 C | 71 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL | PG-TDSON-8 FL |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| تعداد پین‌ها | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C |