ISC110N12NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC110N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC110N12NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 62 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.8 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.1 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15.4 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.1 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 330 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 10 pF | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 94 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 3 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 185 mJ | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | SuperSO8 (TDSON-8) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |