ISC110N12NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC110N12NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC110N12NM6ATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket SuperSO8 (TDSON-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Paket / Kas — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Configuration — Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin