ISC240P06LMATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC240P06LMATMA1 بواسطة Infineon و IPB110P06LMATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC240P06LMATMA1 | IPB110P06LMATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -59 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 24 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 188 W | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS (trench MOSFET) |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Avalanche Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -100 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 11 mOhm @ ID=100A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) | — | 2 V @ ID=5.55 mA |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | +/-20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO263-3-2 |
| Gate Drive Level | — | Logic-level compatible |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |