ISC240P06LMATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC240P06LMATMA1 tarafından Infineon ve IPB110P06LMATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC240P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W —
Technology OptiMOS trench OptiMOS (trench MOSFET)
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C (TJ)
Paket / Kas — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin