ISC240P06LMATMA1 vs IPB110P06LMATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC240P06LMATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB110P06LMATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISC240P06LMATMA1 ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISC240P06LMATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPB110P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 - P-Ch 60V 100A OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB110P06LMATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISC240P06LMATMA1 IPB110P06LMATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) -59 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 24 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 188 W —
Technology OptiMOS trench OptiMOS (trench MOSFET)
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (single-pulse) —
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
REACH Compliance Compliant —
FET Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 11 mOhm @ ID=100A
Gate Threshold Voltage (VGS(th) max) — 2 V @ ID=5.55 mA
Gate-Source Voltage (VGS max) — +/-20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C (TJ)
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, TO-263AB, 2 leads + tab)
Supplier Device Package — PG-TO263-3-2
Gate Drive Level — Logic-level compatible
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں