ISK057N04LM6ATSA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISK057N04LM6ATSA1 بواسطة Infineon و IPT017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISK057N04LM6ATSA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 64 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 39.1 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 8.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 12 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 290 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21 pF | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 6 Trench | OptiMOS 6 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| عدد الأطراف | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |