ISK057N04LM6ATSA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISK057N04LM6ATSA1 द्वारा Infineon और IPT017N12NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISK057N04LM6ATSA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 15 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 64 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 39.1 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 8.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 12 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 290 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21 pF | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | — |
| पैकेज | PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 6 Trench | OptiMOS 6 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +175C |
| पिन काउंट | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |