ISZ056N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ056N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و BSC0921NDIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ056N03LF2SATMA1 BSC0921NDIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 31 A (per channel, package-limited)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 25V (N-channel)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
مستوى MSL — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر