ISZ056N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISZ056N03LF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0921NDIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISZ056N03LF2SATMA1 | BSC0921NDIATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 31 A (per channel, package-limited) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Technology | — | OptiMOS 25V (N-channel) |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (per channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 1 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +150C (junction) |
| MSL লেভেল | — | 1 (per Infineon OptiMOS family) |
| Primary Application | — | Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators |