ISZ056N03LF2SATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ056N03LF2SATMA1 توسط Infineon و BSC0921NDIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر ISZ056N03LF2SATMA1 BSC0921NDIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 31 A (per channel, package-limited)
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 25V (N-channel)
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
سطح MSL — 1 (per Infineon OptiMOS family)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت