ISZ056N03LF2SATMA1 vs IMLT40R011M2HXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ056N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و IMLT40R011M2HXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ056N03LF2SATMA1 IMLT40R011M2HXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series StrongIRFET 2 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel SiC MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 400 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 72 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 4.5 V (benchmark)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 5.6 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 52 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) PG-HDSOP-16-8 (surface mount, top-side cooled)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Product Family — CoolSiC MOSFET 400V G2
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 144 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 429 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 11 mΩ (typ)
Recommended Gate Drive Voltage — 0 V to 18 V
Technology — Silicon Carbide (SiC) Gen-2
Body Diode — Commutation-robust fast body diode, low Qrr
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
Interconnection Technology — XT (best-in-class thermal performance)
Operating Mode — Enhancement mode
Target Topologies — 2- and 3-level hard- and soft-switching
Target Applications — AI server PSU, SMPS, motor drives

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر