K3K8K80BM-MGCP vs K3KL8L80CM-MGCT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3K8K80BM-MGCP بواسطة Samsung Electronics و K3KL8L80CM-MGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3K8K80BM-MGCP | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gb | 32 Gbit (4 GB) |
| التنظيم | 2G x 32 | x32 |
| معدل البيانات | 6400 Mbps | — |
| الواجهة | LPDDR5 (CMOS) | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| العلبة | FBGA-315 (PBGA315) | 315-ball FBGA |
| Supply Voltages | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -25C to +85C | -25C to +85C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Lead Free | Yes | — |
| Application Class | Specialized ICs / Memory | — |
| I/O Width | 32-bit | — |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |