K3KL8L80QM-MUCT vs K3LKCKC0BM-MGCP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3KL8L80QM-MUCT بواسطة Samsung Electronics و K3LKCKC0BM-MGCP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K3KL8L80QM-MUCT | K3LKCKC0BM-MGCP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Density | 32 Gb (4 GB) | — |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: organization (xN bit width)] | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate per pin (Gbps)] | 6400 Mbps |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] | — |
| Speed Grade | QM (per Samsung part numbering) | — |
| العلبة | FBGA (original package, 315-ball class) | FBGA-315 (PBGA315) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25 C to +85 C |
| الواجهة | LPDDR5X channel interface | Parallel |
| Series | LPDDR5X | — |
| العلامة التجارية | Samsung Semiconductor | — |
| Packaging Suffix | MUCT | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Application Segment | Mobile / AI edge computing | — |
| حجم الذاكرة | — | 64 Gbit |
| Memory Organization | — | 2G x32 |
| Technology | — | CMOS |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: access time] |
| Power Consumption - Active | — | [DATA_NEEDED: active power] |
| Power Consumption - Standby | — | [DATA_NEEDED: standby power] |