K3LK4L40DM-BGCT vs MT40A256M16GE-075E:B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3LK4L40DM-BGCT بواسطة Samsung Electronics و MT40A256M16GE-075E:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ نشطMicron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K3LK4L40DM-BGCT | MT40A256M16GE-075E:B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $3.95 |
| نوع الذاكرة | DRAM (SDRAM component) | DDR4 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Density | [DATA_NEEDED: Density] | — |
| Organization (x-width) | [DATA_NEEDED: Organization] | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: Data Rate] | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Class | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Package Type | BGA (per -BGC ordering-code suffix) | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: Ball Count] | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Lead Free | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Packaging | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Internal Banks | — | 16 |
| Refresh | — | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C |
| I/O Type | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable generation |
| Special Features | — | Temperature controlled refresh (TCR) |
| العلبة | — | 96-FBGA (9 x 14 mm) |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] |