K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G045WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 1G x4 | — |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| العلبة | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (BCW) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Self Refresh | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | — |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps/pin |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| الواجهة | — | Parallel (DDR4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | Tray |