K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WG-BCWE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G045WD-BCRC توسط Samsung Electronics و K4A4G085WG-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4A4G045WD-BCRC K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4A4G045WD-BCRC K4A4G085WG-BCWE
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی DRAM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Density 4 Gb —
سازمان 1G x4 —
Die Generation D-die —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) —
بسته‌بندی TFBGA-78 (FBGA-78) FBGA-78 (BCW)
Number of Terminals 78 —
Self Refresh Yes —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] —
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] —
Bank Architecture DDR4 8 internal banks with bank groups —
Refresh Self refresh supported (per Partstack listing) [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Packaging Option [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] —
اندازه حافظه — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
نرخ داده — 3200 Mbps/pin
Speed Class — DDR4-3200
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — D-die DDR4
رابط — Parallel (DDR4)
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tray

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت