K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| معدل البيانات | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | FBGA-78 (TFBGA) | FBGA-78 (PB) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| الواجهة | Parallel | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (PB lead-free suffix) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Die Generation | — | D-die |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| خالٍ من الهالوجين | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |