K4A4G085WF-BITD vs MT40A512M8RH-075E:B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WF-BITD بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WF-BITD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| العلبة | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| زمن الوصول CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel, DDR4 SSTL12 | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| معدل البيانات | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| جهد المرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |