K4A4G085WF-BITD vs MT40A512M8RH-075E:B موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WF-BITD بذریعہ Samsung Electronics اور MT40A512M8RH-075E:B بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WF-BITD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Micron Technology |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| CAS لیٹنسی | CL19 (typical at 2666 Mbps) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| انٹرفیس | Parallel, DDR4 SSTL12 | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ریفرنس وولٹیج | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |