K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $4.10 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 1G x 8 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 78-pin FBGA | 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | DLL Enabled mode (per datasheet) | — |
| Speed Grade Suffixes | -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) | — |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] | — |
| tCL/cas latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank/bank group count] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Termination Voltage (VTT) | [DATA_NEEDED: VTT value] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Max Clock Frequency | — | 1066 MHz |
| Max Access Time | — | 0.18 ns |
| Max Standby Current | — | 0.016 mA |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Technology | — | CMOS, 8Gb B-die |
| Number of Terminals | — | 78 |
| الواجهة | — | DDR4 SDRAM parallel interface |
| Operating Temperature Grade | — | Commercial (0C to 85C) |