K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BCPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A8G085WB K4A8G085WB-BCPB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $4.10
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gbit —
संगठन 1G x 8 —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V
पैकेज 78-pin FBGA 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
डेटा दर [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] —
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
मेमोरी आकार — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Refresh Cycles — 8192
Technology — CMOS, 8Gb B-die
Number of Terminals — 78
इंटरफ़ेस — DDR4 SDRAM parallel interface
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

डेटाशीट और संसाधन

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