K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCPB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WB-BCPB
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة DRAM Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
سعر الوحدة (USD) — $4.10
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
التنظيم 1G x 8 —
معدل البيانات 2133 Mbps —
جهد التغذية 1.2 V 1.2 V
درجة حرارة التشغيل 0 C to +85 C 0C to +85C
العلبة 78FBGA 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
Number of Terminals 78 78
Maximum Seated Height 1.2 mm —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
الميزات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
حجم الذاكرة — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Refresh Cycles — 8192
Technology — CMOS, 8Gb B-die
الواجهة — DDR4 SDRAM parallel interface
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر