K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCPB Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G085WB-BCPB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vida
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,95 | $13,78 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2133 Mbps | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V (nominal) |
| Temperatura de operação | 0 C to +85 C | — |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | DDR4-2133 | BC |
| Recursos | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| CAS Latency (CL) | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Architecture | — | 16 banks (4 bank groups) |
| Refresh Interval | — | 7.8 us (up to 85C) |
| Tipo de interface | — | SSTL-12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Self-Refresh | — | Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) |
| Package Dimensions | — | 11 mm x 11 mm |
| Operating Mode | — | DLL enabled |