K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WB-BCPB 比較

詳細並排比較 K4A8G085WC-BCPB 由 Samsung Electronics 與 K4A8G085WB-BCPB 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ 停產
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K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 1.2V | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WB-BCPB
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 DRAM Memory ICs
生命週期狀態 停產終止 啟用中
單價 (USD) — $4.10
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
組織 1G x 8 —
資料速率 2133 Mbps —
供應電壓 1.2 V 1.2 V
工作溫度 0 C to +85 C 0C to +85C
封裝 78FBGA 78-ball FBGA (BGA78 / TFBGA), rectangular, 11 mm length
Number of Terminals 78 78
Maximum Seated Height 1.2 mm —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
功能特色 Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
記憶體容量 — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Max Clock Frequency — 1066 MHz
Max Access Time — 0.18 ns
Max Standby Current — 0.016 mA
Refresh Cycles — 8192
Technology — CMOS, 8Gb B-die
介面 — DDR4 SDRAM parallel interface
Operating Temperature Grade — Commercial (0C to 85C)

資料表與資源

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