K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BIRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCRC | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $32.50 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel (DDR4 SDRAM bus) | Pseudo-open-drain |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| Technology | CMOS, B-die 8Gb die | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | -40°C to +95°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC / CA Parity | CRC function supported | — |
| On-Chip Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Clock Frequency | 1200 MHz (DDR4-2400) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| زمن الوصول CAS | — | 15, 16, 17 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Row Address | — | 16K |
| Column Address | — | 1K |
| RoHS | — | Compliant |