K4A8G165WB-BCRC vs K4A8G165WB-BIRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BIRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BIRC
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $32.50
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
انٹرفیس Parallel (DDR4 SDRAM bus) Pseudo-open-drain
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) 2400 Mbps
Technology CMOS, B-die 8Gb die —
پیکیج 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +95C -40°C to +95°C
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC / CA Parity CRC function supported —
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Clock Frequency 1200 MHz (DDR4-2400) —
Density — 8 Gb
تنظیم — 512M x 16
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
CAS لیٹنسی — 15, 16, 17
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Row Address — 16K
Column Address — 1K
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں