K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G165WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | -40C to +95C |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |