K4AAG085WM-BCRC vs K4AAG085WM-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG085WM-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WM-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG085WM-BCRC | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | [DATA_NEEDED: exact density in Gb] | 16 Gb |
| التنظيم | x8 | 2G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Max Data Rate | Up to 3200 Mbps/pin (family max per Samsung DDR4 page) | — |
| الواجهة | SSTL12 | DDR4 (JEDEC-standard) |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | Bank-group DDR4 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL of -BCRC speed grade] | — |
| Clock | Differential clock CK/CK# | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| معدل البيانات | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |