K4AAG165WA-BCPB vs K4A8G165WB-BCPB مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WA-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCPB بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WA-BCPB | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) | DDR4 SDRAM |
| Technology | DDR4 | — |
| Density | 16 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 2133 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96FBGA (TFBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] | 0C to +85C |
| Memory Format | DRAM | — |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Active | — |
| Power Consumption | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 internal bank groups) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per Lisleapex listing) |
| Max Capacity Family | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | Rectangular, bottom terminal position |
| Die Generation | — | 8Gb B-die |
| الواجهة | — | DDR4 (synchronous, double data rate) |
| Bank Groups | — | DDR4 bank-group architecture |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |