K4AAG165WA-BCPB vs K4A8G165WB-BCPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4AAG165WA-BCPB K4A8G165WB-BCPB
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) DDR4 SDRAM
Technology DDR4 —
Density 16 Gb 8 Gb
संगठन 1G x 16 512M x 16
डेटा दर 3200 Mbps 2133 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) 1.2 V —
पैकेज FBGA-96 96FBGA (TFBGA)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] 0C to +85C
Memory Format DRAM —
Packaging Tray —
Product Status Active —
Power Consumption 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 internal bank groups) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (per Lisleapex listing)
Max Capacity Family Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) —
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
इंटरफ़ेस — DDR4 (synchronous, double data rate)
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]

डेटाशीट और संसाधन

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