K4AAG165WA-BCRC vs H5ANAG8NAMR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WA-BCRC بواسطة Samsung Electronics و H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCRC K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC ✓ نشط
SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4AAG165WA-BCRC H5ANAG8NAMR-UHC
العلامة التجارية Samsung Electronics SK hynix
الفئة DRAM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 16 Gb (2 GB) —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface DDR4 SDRAM Interface —
جهد التغذية 1.2 V 1.2 V
معدل البيانات up to 3200 Mbps per pin (family); [DATA_NEEDED: BCRC speed grade rating] DDR4-2400 (2400 MT/s)
Technology DDR4 —
العلبة FBGA-96 (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: BCRC temperature range; family BCWE rated -40C to +95C] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade Suffix -BCRC —
Datasheet Samsung K4AAG165WA DDR4 SDRAM Memory, 23 pages —
Packaging Status [DATA_NEEDED: tray/reel standard quantity] —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: BCRC clock frequency] —
Memory Format DRAM —
حالة RoHS unknown Compliant (lead-free FBGA package)
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
التنظيم — 2G x 8
الواجهة — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر