K4AAG165WA-BCRC vs H5ANAG8NAMR-UHC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WA-BCRC द्वारा Samsung Electronics और H5ANAG8NAMR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCRC K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4AAG165WA-BCRC H5ANAG8NAMR-UHC
ब्रांड Samsung Electronics SK hynix
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 16 Gb (2 GB) —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface DDR4 SDRAM Interface —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V
डेटा दर up to 3200 Mbps per pin (family); [DATA_NEEDED: BCRC speed grade rating] DDR4-2400 (2400 MT/s)
Technology DDR4 —
पैकेज FBGA-96 (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) FBGA-78
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: BCRC temperature range; family BCWE rated -40C to +95C] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade Suffix -BCRC —
Datasheet Samsung K4AAG165WA DDR4 SDRAM Memory, 23 pages —
Packaging Status [DATA_NEEDED: tray/reel standard quantity] —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: BCRC clock frequency] —
Memory Format DRAM —
RoHS स्थिति unknown Compliant (lead-free FBGA package)
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
संगठन — 2G x 8
इंटरफ़ेस — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

डेटाशीट और संसाधन

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