K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646F-BYK0 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BCMA بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646F-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646F-BYK0
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $3.77 —
نوع الذاكرة DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
التنظيم 256M x 16 —
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
جهد التغذية 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35V / 1.5V
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C 0°C to 95°C (TC)
العلبة FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
نوع التركيب Surface Mount (BGA) —
حالة RoHS Compliant —
حجم الذاكرة — 4 Gb
Memory Organization — 256M x 16
معدل البيانات — 1866 Mbps
Clock Frequency — 933 MHz
الواجهة — Parallel
Burst Length — 8 and 4
زمن الوصول CAS — Programmable
On-Die Termination — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر