K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646F-BYK0 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BCMA מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646F-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646F-BYK0
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $3.77 —
סוג זיכרון DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
ארגון 256M x 16 —
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
מתח אספקה 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35V / 1.5V
טמפרטורת פעולה 0C to +95C 0°C to 95°C (TC)
מארז FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
סוג הרכבה Surface Mount (BGA) —
סטטוס RoHS Compliant —
גודל זיכרון — 4 Gb
Memory Organization — 256M x 16
קצב נתונים — 1866 Mbps
Clock Frequency — 933 MHz
ממשק — Parallel
Burst Length — 8 and 4
השהיית CAS — Programmable
On-Die Termination — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר