K4B4G1646E-BCMA vs K4B4G1646F-BYK0 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BCMA द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646F-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ सक्रिय
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K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646F-BYK0
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति In Stock —
यूनिट मूल्य (USD) $3.77 —
मेमोरी प्रकार DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 —
Clock / Data Rate 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin —
सप्लाई वोल्टेज 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) 1.35V / 1.5V
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +95C 0°C to 95°C (TC)
पैकेज FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) 96-ball FBGA
Operating Supply Current (IDD) 55 mA —
Standby Current 2 mA —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT supported —
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Function Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) —
RoHS स्थिति Compliant —
मेमोरी आकार — 4 Gb
Memory Organization — 256M x 16
डेटा दर — 1866 Mbps
Clock Frequency — 933 MHz
इंटरफ़ेस — Parallel
Burst Length — 8 and 4
CAS लेटेंसी — Programmable
On-Die Termination — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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