K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646F-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BCMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BCMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $3.77 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35V / 1.5V | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (TC) | 0C to +95C |
| الواجهة | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Clock / Data Rate | — | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin |
| Operating Supply Current (IDD) | — | 55 mA |
| Standby Current | — | 2 mA |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT supported |
| Data Mask Function | — | Yes |
| نوع التركيب | — | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | — | Compliant |