K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646F-BYK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BCMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BCMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $3.77 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V / 1.5V | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) |
| डेटा दर | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (TC) | 0C to +95C |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Clock / Data Rate | — | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin |
| Operating Supply Current (IDD) | — | 55 mA |
| Standby Current | — | 2 mA |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT supported |
| Data Mask Function | — | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |