K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA 比較
詳細並排比較 K4B4G1646F-BYK0 由 Samsung Electronics 與 K4B4G1646E-BCMA 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung
K4B4G1646E-BCMA ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646E-BCMA |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | — | In Stock |
| 單價 (USD) | — | $3.77 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 供應電壓 | 1.35V / 1.5V | 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal) |
| 資料速率 | 1866 Mbps | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA | FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm) |
| 工作溫度 | 0°C to 95°C (TC) | 0C to +95C |
| 介面 | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| CAS 延遲 | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 組織 | — | 256M x 16 |
| Clock / Data Rate | — | 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin |
| Operating Supply Current (IDD) | — | 55 mA |
| Standby Current | — | 2 mA |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT supported |
| Data Mask Function | — | Yes |
| 安裝類型 | — | Surface Mount (BGA) |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |