K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646E-BCMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646F-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BCMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646F-BYK0 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCMA K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA - 4Gb DDR3 SDRAM 1066MHz FBGA-96 | Samsung

K4B4G1646E-BCMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646F-BYK0 K4B4G1646E-BCMA
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu — In Stock
Birim Fiyat (USD) — $3,77
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gb —
Memory Organization 256M x 16 —
Besleme Gerilimi 1.35V / 1.5V 1.425 V to 1.575 V (1.5 V nominal)
Veri Hızı 1866 Mbps —
Clock Frequency 933 MHz —
Paket 96-ball FBGA FBGA-96 (7.5 x 13.3 mm)
İşletim Sıcaklığı 0°C to 95°C (TC) 0C to +95C
Arayüz Parallel —
Burst Length 8 and 4 —
CAS Gecikme Programmable —
On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Density — 4 Gbit
Organizasyon — 256M x 16
Clock / Data Rate — 1066 MHz / 1066 Mbps per data pin
Operating Supply Current (IDD) — 55 mA
Standby Current — 2 mA
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT supported
Data Mask Function — Yes
Montaj Türü — Surface Mount (BGA)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin