K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646I-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| العلبة | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C (TC) |
| الواجهة | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |