K4B4G1646I-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646I-BYK0 द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646I-BYK0 | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| पैकेज | FBGA-96 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C (TC) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |