K4RAH086VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و PDRQL8KCBF12-00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $44.55 | — |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| الواجهة | DDR5 (parallel) | Pseudo-differential DQ |
| العلبة | FBGA-82 | FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| On-die ECC | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |