K4RAH086VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BIQK | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| معدل البيانات | 4800 Mbps/pin | 5600 Mbps per pin |
| Core Supply Voltage | 1.1 V (nominal) | — |
| العلبة | 82FBGA | — |
| Configuration | X8 | — |
| Speed Grade | BIQK (-BIQK bin) | — |
| ECC | On-die ECC (DDR5 standard) | — |
| الواجهة | DDR5 (CA reduced pin count) | — |
| Burst Length | 16 / 32 | — |
| Operating Mode | DLL enabled | — |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| جهد التغذية | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |