K4RAH086VB-BIQK vs K4RBH086VB-BCQK مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RAH086VB-BIQK K4RBH086VB-BCQK
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
التنظيم 2G x 8 2G x 8
معدل البيانات 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
العلبة 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
الواجهة DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (CA bus, ODECC)
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
حالة RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
نوع التركيب — Surface Mount
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر