K4RAH086VB-BIQK vs K4RBH086VB-BCQK तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RAH086VB-BIQK द्वारा Samsung Electronics और K4RBH086VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4RAH086VB-BIQK K4RBH086VB-BCQK
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
संगठन 2G x 8 2G x 8
डेटा दर 4800 Mbps/pin 4800 Mbps
Core Supply Voltage 1.1 V (nominal) —
पैकेज 82FBGA FBGA-82
Configuration X8 —
Speed Grade BIQK (-BIQK bin) —
ECC On-die ECC (DDR5 standard) —
इंटरफ़ेस DDR5 (CA reduced pin count) DDR5 (CA bus, ODECC)
Burst Length 16 / 32 —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) Compliant
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध