K4RAH086VB-BIWM vs K4RAH086VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BIWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BIWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $44.55 |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| معدل البيانات | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| التنظيم | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| الواجهة | — | DDR5 (parallel) |
| العلبة | — | FBGA-82 |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |